Аналіз властивостей комбінованого транзистора з двома заслонами

Кісельов Єгор
(Запоріжжя, Україна)
ТЕХНІЧНІ НАУКИ
(Радіотехніка)
АНАЛІЗ ВЛАСТИВОСТЕЙ КОМБІНОВАНОГО ТРАНЗИСТОРА З ДВОМА ЗАСЛОНАМИ
Одним із шляхів розвитку елементної бази сучасної радіоелектронної апаратури є функціональна інтеграція різних активних напівпровідникових приладів, що надає можливість покращувати якість пристроїв, які розробляються на цій основі. У [1] було розроблено біполярний транзистор, керування яким здійснюється за допомогою струму бази і потенціалів двох заслонів. Тому актуальним є дослідження фізико – електричних процес у структурі такого комбінованого приладу.
Для цього було проведено двовимірне фізико-топологічне моделювання двозаслонного транзистора у програмному середовищі Academy 2D з розподілом концентрацій легуючих домішок, що наведено на рис. 1 а.

Рис. 1. Розподіл концентрацій легуючих домішок (а) і струму (б) у двозаслонном транзисторі

Результати досліджень показують, що у активному режимі під дією потенціалів заслонів змінюється розподіл струму у базі транзистора (рис. 1 б) завдяки утворенні додаткових провідних каналів. Це дозволить підвищити крутість передавальних характеристик приладу з 0,02 См до 0,05 См (рис. 2) у порівнянні з однозатворним варіантом.

Рис. 2. Порівняння передавальних характеристик двозаслонного і однозаслонного комбінованих транзисторів

Таким чином, встановлено, що двозаслонна структура комбінованого транзистора характеризується покращеними характеристиками і може бути використана у основі керованого приладу тетродного типу.
Література:
1. Киселев Е.Н., Костенко В.Л. Моделирование характеристик комбинированной транзисторной структуры/ Е.Н. Киселев, В.Л. Костенко// Сб. науч. трудов ЗГИА – Запорожье: ЗГИА – 1998. – С. 352–357.